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IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
70V06X15
Com'l Only
70V06X20
Com'l
& Ind
70V06X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time (3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
12
0
12
0
10
____
____
____
____
____
15
0
15
0
15
____
____
____
____
____
20
0
20
0
15
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t WZ
t OW
t SWRD
t SPS
(1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2,4)
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
____
0
5
5
10
____
____
____
____
0
5
5
12
____
____
____
____
0
5
5
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
2942 tbl 12a
70V06X35
Com'l Only
70V06X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
35
____
55
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
30
____
45
____
ns
t AW
Address Valid to End-of-Write
30
____
45
____
ns
t AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
ns
t WP
t WR
t DW
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
25
0
15
____
____
____
40
0
30
____
____
____
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t WZ
(1,2)
____
15
____
25
ns
t OW
t SWRD
t SPS
Output Active from End-of-Write
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
(1,2,4)
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
2942 tbl 12b
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed but not tested.
3. To access SRAM, CE = V IL , SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage and
temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
10
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